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  • Qorvo®がコンパクトなE1Bパッケージの1200V SiCモジュールを発表

  • 2024/03/05 09:00 公開  Qorvo
  • 【グリーンズボロ(米ノースカロライナ州)2024年3月5日PR Newswire】コネクティビティーおよび電源の世界的な大手ソリューションプロバイダーであるQorvo ®(ナスダック: QRVO)はこのほど、コンパクトなE1BパッケージでRDS(on)が9.4mΩからのハーフブリッジ2つとフルブリッジ2つの合計4つの1200V炭化ケイ素(SiC)モジュールを発表しました。これらの高効率SiCモジュールは、電気自動車(EV)充電ステーション、蓄電、産業用電源、太陽光発電の用途向けの優れたソリューションです。


    QorvoのSiCパワー製品事業の製品ラインマーケティング担当ディレクターであるRamanan Natarajan氏は「この新ファミリーのモジュールは、最大4つのディスクリートSiC FETを置き換えることができるため、組み立てのみならず熱機械設計も簡素化できます。また、当社のカスコード技術により、より高いスイッチング周波数での動作も可能になり、より小さな外部部品を使用することでソリューションサイズをさらに縮小することができます。当社のお客様にとって、これらのモジュールの高効率性により電源設計プロセスを合理化できるため、多数のディスクリート部品を使用する場合とは対照的に、1つのモジュールの設計、レイアウト、組み立て、特性評価、認定に集中することができます」と述べました。

    9.4mΩのUHB100SC12E1BC3Nをはじめ、これら4つのSiCモジュールはQorvo独自のカスコード構成を活用しており、RDS(on)とスイッチング損失を最小限に抑え、特にソフトスイッチング・アプリケーションで効率を最大化します。銀焼結ダイアタッチにより、熱抵抗は0.23 °C/Wと低くなっています。UF4SC120030B7S等の「SC」品番にあるスタックダイ構造と組み合わせることで、パワーサイクル性能が市販で同等のSiCパワーモジュールに比べて2倍向上しています。これらの特性が相まって、高集積SiCパワーモジュールの使いやすさと電力密度を備えながら、優れた熱性能と信頼性を実現しています。

    以下の表はQorvo の新しい1200V SiCモジュールファミリーの概要です:

    Part #

    Description

    R DS(on) @25C (mΩ)

    UFB15C12E1BC3N

    1200V, 15A SiCフルブリッジモジュール

    70

    UFB25SC12E1BC3N

    1200V, 25A SiCフルブリッジモジュール

    35

    UHB50SC12E1BC3N

    1200V, 50A SiCハーフブリッジモジュール

    19

    UHB100SC12E1BC3N

    1200V, 100A SiCハーフブリッジモジュール

    9.4

     

    Qorvoの強力な設計ツールである FET-Jet CalculatorQSPICE™ ソフトウエアは、製品の選択と性能シミュレーションを支援します。Qorvoの産業用途向けの先進SiCソリューションの詳細情報についてはwww.qorvo.com/go/sicをご覧ください。

    Qorvo について
    Qorvo (ナスダック: QRVO) は、より良い世界を実現する革新的な半導体ソリューションを提供しています。当社は、製品とテクノロジーのリーダーシップ、システムレベルの専門知識、世界規模の製造規模を組み合わせて、お客様の最も複雑な技術的課題を迅速に解決します。Qorvo は、家庭用電化製品、スマート ホーム/IoT、自動車、EV、バッテリー駆動機器、ネットワーク インフラストラクチャ、ヘルスケア、航空宇宙/防衛など、大規模な世界市場のさまざまな高成長セグメントにサービスを提供しています。www.qorvo.comにアクセスして、当社の多様で革新的なチームが地球のつながり、保護、電力供給にどのように貢献しているかをご覧ください。

    Qorvoの将来に関する見通しについては以下をご覧ください:https://www.qorvo.com/newsroom/news/2024/qorvo-introduces-1200v-sic-modules-in-compact-e1b-package

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